參數(shù)資料
型號： MMBT2484LT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Low Noise Transistor
中文描述： 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 291K
代理商： MMBT2484LT1
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued) (TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
250
—
—
800
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0.1 mAdc)
VCE(sat)
—
0.35
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(on)
—
0.95
Vdc
Output Capacitance
(VCB = 5.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
6.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
6.0
pF
Noise Figure
(IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 10 k
, f = 1.0 kHz, BW = 200 Hz)
NF
—
3.0
dB
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2484 Mini size of Discrete semiconductor elements
MMBT2484LT1 Low Noise Transistor(NPN Silicon)
MMBT2907AWT1 General Purpose Transistor
MMBT2907 PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
MMBT2907ALT3 General Purpose Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2484LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2484LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS LN XSTR NPN 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT28S 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
MMBT2907 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP SMD SOT-23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SMD, SOT-23
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