參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2369ALT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Switching Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 開關(guān)晶體管（NPN硅）
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 304K
代理商： MMBT2369ALT1
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
h
V
C
°
200
100
20
50
1
2
5
10
20
50
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 13. Minimum Current Gain Characteristics
VCE = 1 V
TJ = 125
°
C
75
°
C
25
°
C
–15
°
C
–55
°
C
TJ = 25
°
C and 75
°
C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1
2
5
10
20
50
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 14. Saturation Voltage Limits
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. Typical Temperature Coefficients
β
F = 10
TJ = 25
°
C
MAX VBE(sat)
MIN VBE(sat)
MAX VCE(sat)
(25
°
C to 125
°
C)
(–55
°
C to +25
°
C)
(–55
°
C to +25
°
C)
(25
°
C to 125
°
C)
θ
VC for VCE(sat)
θ
VB for VBE(sat)
–55
°
C to +25
°
C
±
0.15 mV/
°
C
±
0.4 mV/
°
C
25
°
C to 125
°
C
±
0.15 mV/
°
C
±
0.3 mV/
°
C
θ
VC
θ
VB
APPROXIMATE DEVIATION
FROM NOMINAL
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBT2369ALT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369ALT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369-G 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
MMBT2369L 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switcing Transistors
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