參數(shù)資料
型號： MMBT2369ALT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Switching Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 開關(guān)晶體管（NPN硅）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 304K
代理商： MMBT2369ALT1
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
25
°
C
100
°
C
QT,
β
F = 10
500
1
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Maximum Charge Data
10
20
50
100
200
2
5
10
20
50
100
VCC = 10 V
QT,
β
F = 40
QA, VCC = 10 V
QA, VCC = 3 V
C
+5 V
0
t1
< 1 ns
PULSE WIDTH (t1) = 5
μ
s
DUTY CYCLE = 2%
3 V
270
4.3 k
Cs* < 4 pF
V
10 pF MAX
VALUES REFER TO
IC = 10 mA TEST
Figure 9. QT Test Circuit
+6 V
–4 V
0
t1
< 1 ns
PULSE WIDTH (t1) = 300 ns
DUTY CYCLE = 2%
10 V
980
500
Cs* < 3 pF
C
COPT
TIME
C < COPT
C = 0
Figure 10. Turn–Off Waveform
Figure 11. Storage Time Equivalent Test Circuit
V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
IC = 3 mA
IC = 10 mA
IC = 30 mA
IC = 50 mA
IC = 100 mA
TJ = 25
°
C
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 12. Maximum Collector Saturation Voltage Characteristics
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBT2369ALT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369ALT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369-G 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
MMBT2369L 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switcing Transistors
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