參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2369AD87Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 749K
代理商： MMBT2369AD87Z
Typical Characteristics
DC Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
100
50
100
150
200
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-D
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
FE
C
V
= 1.0V
CE
- 40 °C
25 ° C
125 ° C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
500
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
L
E
C
T
O
R-
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
AG
E
(
V
)
C
ESA
T
- 40 °C
25 °C
C
β = 10
125 °C
Base-Emitt er ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
E
M
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(V
)
BE
(O
N)
C
V
= 1.0V
CE
- 40°C
25 °C
125 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
300
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
I
- COLLE CTOR CURRENT ( mA)
V
-
B
A
S
E
-E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
BE
S
A
T
C
β = 10
- 40 °C
25 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
1
10
100
600
T - AMBIENT TE MPERATURE ( C)
I
-
C
O
L
E
C
T
O
R
C
U
R
E
N
T
(n
A
)
A
V
= 20V
CB
°
CBO
PN2369A
/
MMBT2369A
NPN Switching Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2369ALT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369LT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369ALT3G 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2484LT3 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3640LT3 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
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MMBT2369ALT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369ALT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369ALT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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