參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2369AD87Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大?。?/td> 749K
代理商： MMBT2369AD87Z
Typical Characteristics (continued)
Rise Time vs. Turn On Base
Current and Collector Current
1
10
100
500
0
1
10
50
I - COLLE CTOR CURRENT (mA)
I
-T
U
R
N
O
N
B
A
S
E
C
U
R
E
N
T
(
m
A
)
C
B1
V
= 3.0 V
CC
t = 2.0 ns
r
5. 0 ns
10 ns
20 ns
Fall Time vs Turn On
and Turn Off Base Currents
024
68
10
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
I
- TURN ON BASE CURRENT (mA)
I
-
T
U
R
N
OF
F
BA
S
E
CU
R
E
N
T
(
m
A
)
I = 10 mA
C
V
= 3.0 V
CC
t = 7.0 ns
f
8.0 ns
10 ns
B1
B2
Fall Time vs Turn On
and Turn Off Base Currents
0
5
10
15
20
25
30
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
I
- TURN ON BASE CURRENT (mA)
I
-
T
U
R
N
OF
F
B
A
S
E
C
U
R
E
N
T
(
m
A
)
B1
B2
I = 100 mA
C
V
= 3.0 V
CC
t = 2.0 ns
f
8.0 ns
4.0 ns
3.0 ns
12.0 ns
Delay Time vs Base-Emitter OFF
Voltage and Turn On Base Current
12
5
10
20
50
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
I
- TURN ON BASE CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE
-E
M
ITTER
O
F
VO
L
T
A
G
E
(V
)
B1
BE
(O
)
I = 10 mA
C
V
= 3.0 V
CC
t = 8.0 ns
d
4.0 ns
5.0 ns
3.0 ns
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
025
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
TE MPE RATURE ( C)
P
-
PO
W
E
R
D
ISSI
PA
T
IO
N
(
m
W
)
°
D
SOT-23
TO-92
Fall Time vs Turn On
and Turn Off Base Currents
02468
10
12
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
I
- TURN ON BASE CURRENT (mA)
I
-T
U
R
N
O
F
B
A
S
E
CUR
RE
NT
(m
A)
B1
B2
I = 30 mA
C
V
= 3.0 V
CC
t = 2.0 ns
5. 0 ns
4. 0 ns
3. 0 ns
f
PN2369A
/
MMBT2369A
NPN Switching Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2369ALT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369LT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369ALT3G 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2484LT3 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3640LT3 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
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MMBT2369ALT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369ALT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369ALT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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