參數(shù)資料
型號： MMBD770T1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Schottky Barrier Diodes
中文描述： 肖特基勢壘二極管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 153K
代理商： MMBD770T1
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(IR = 10
μ
A)
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
V(BR)R
7.0
30
70
10
—
—
—
—
—
Volts
Diode Capacitance
(VR = 0, f = 1.0 MHZ, Note 1)
(VR = 15 Volts, f = 1.0 MHZ)
(VR = 20 Volts, f = 1.0 MHZ)
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
CT
—
—
—
0.88
0.9
0.5
1.0
1.5
1.0
pF
Reverse Leakage
(VR = 3.0 V)
(VR = 25 V)
(VR = 35 V)
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
IR
—
—
—
20
13
9.0
250
200
200
nAdc
Noise Figure
(f = 1.0 GHz, Note 2)
MMBD110T1
NF
—
6.0
—
dB
Forward Voltage
(IF = 10 mA)
(IF = 1.0 mAdc)
(IF = 10 mA)
(IF = 1.0 mAdc)
(IF = 10 mA)
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
VF
—
—
—
—
—
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
Vdc
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PDF描述
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參數(shù)描述
MMBD770T1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 70V 120mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MMBD770W 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
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MMBD914 功能描述:整流器 High Cond Ult Fst Di RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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