參數(shù)資料
型號： MMBD110T1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Schottky Barrier Diodes
中文描述： 肖特基勢壘二極管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： MMBD110T1
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Schottky barrier diodes are designed primarily for high–efficiency UHF and
VHF detector applications. Readily available to many other fast switching RF
and digital applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 package
which is designed for low–power surface mount applications.
Extremely Low Minority Carrier Lifetime
Very Low Capacitance
Low Reverse Leakage
Available in 8 mm Tape and Reel
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Reverse Voltage
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
VR
7.0
30
70
Vdc
Forward Power Dissipation
TA = 25
°
C
PF
120
mW
Junction Temperature
TJ
Tstg
–55 to +125
°
C
Storage Temperature Range
–55 to +150
°
C
DEVICE MARKING
MMBD110T1 = 4M
MMBD330T1 = 4T
MMBD770T1 = 5H
Thermal Clad is a registered trademark of the Bergquist Company.
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BY MMBD110T1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 419A–02, STYLE 2
SOT-323/SC–70
1
2
3
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參數(shù)描述
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