參數(shù)資料
型號： MMBD717LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Common Anode Schottky Barrier Diodes
中文描述： 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： MINIATURE, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： MMBD717LT1
5–2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
25
°
C
125
°
C
85
°
C
TA = 150
°
C
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA.
Notes:
2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA.
Notes:
3. tp trr
+10 V
2 k
820
0.1
μ
F
DUT
VR
100
μ
H
0.1
μ
F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC) = 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 10 mA; measured
at iR(REC) = 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
0
0.05
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Typical Forward Voltage
0.1
10
1.0
0.1
85
°
C
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
1.0
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.5
0
C
2.0
4.0
I
Figure 3. Reverse Current versus Reverse
Voltage
Figure 4. Typical Capacitance
–40
°
C
25
°
C
I
μ
A
–55
°
C
150
°
C
125
°
C
100
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
相關PDF資料
PDF描述
MMBD717LT1D Common Anode Schottky Barrier Diodes
MMBF0201N N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MMBF0201 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MMBF2201NT1 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
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參數(shù)描述
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