參數(shù)資料
型號： MMBD7000LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual Switching Diode
中文描述： 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： MMBD7000LT3
MMBD7000LT1
http://onsemi.com
3
CURVES APPLICABLE TO EACH DIODE
Figure 2. Forward Voltage
V
F
, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 3. Leakage Current
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
0
I
R
1.0
0.1
0.001
0.01
10
20
30
40
50
I
F
1.0
1.2
0.2
0.4
0.6
0.8
Figure 4. Capacitance
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
C
D
0.68
0.64
0.60
0.52
0.56
2.0
4.0
6.0
8.0
,
T
A
= 85
°
C
T
A
= 40
°
C
T
A
= 25
°
C
,
,
T
A
= 25
°
C
T
A
= 55
°
C
T
A
= 85
°
C
T
A
= 150
°
C
T
A
= 125
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBD7000LT3G Dual Switching Diode
MMBD701LT3 Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MMBD701LT3G Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MMBD701LT1G Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MMBD717LT1G 20 VOLT SCHOTTKY BARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
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參數(shù)描述
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MMBD7000T 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
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MMBD7000-TP 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
MMBD7000-V 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diode, Dual
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