參數(shù)資料
型號： MMBD7000LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual Switching Diode
中文描述： 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 58K
代理商： MMBD7000LT3
MMBD7000LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
(EACH DIODE)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(I
(BR)
= 100 Adc)
V
(BR)
100
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(V
R
= 50 Vdc)
(V
R
= 100 Vdc)
(V
R
= 50 Vdc, 125
°
C)
I
R
I
R2
I
R3
1.0
3.0
100
Adc
Forward Voltage
(I
F
= 1.0 mAdc)
(I
F
= 10 mAdc)
(I
F
= 100 mAdc)
V
F
0.55
0.67
0.75
0.7
0.82
1.1
Vdc
Reverse Recovery Time
(I
F
= I
R
= 10 mAdc) (Figure 1)
t
rr
4.0
ns
Capacitance (V
R
= 0 V)
C
1.5
pF
Notes: 1. A 2.0 k variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F
) of 10 mA.
Notes:
2. Input pulse is adjusted so I
R(peak)
is equal to 10 mA.
Notes:
3. t
p
t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
DUT
V
R
100 H
0.1 F
50 OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50 INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
t
r
t
p
t
10%
90%
I
F
I
R
t
rr
t
i
R(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(I
F
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at i
R(REC)
= 1.0 mA)
I
F
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBD7000LT3G Dual Switching Diode
MMBD701LT3 Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MMBD701LT3G Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MMBD701LT1G Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MMBD717LT1G 20 VOLT SCHOTTKY BARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBD7000LT3G 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
MMBD7000T 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
MMBD7000-T1 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
MMBD7000-TP 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
MMBD7000-V 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diode, Dual
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