參數(shù)資料
型號: MMBD451LT1
廠商: Motorola, Inc.
英文描述: Schottky Barrier Diodes
中文描述: 肖特基勢壘二極管
文件頁數(shù): 2/4頁
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代理商: MMBD451LT1
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA.
Notes:
2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA.
Notes:
3. tp trr
+10 V
2 k
820
0.1
μ
F
DUT
VR
100
μ
H
0.1
μ
F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC) = 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 10 mA; measured
at iR(REC) = 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBD717LT1 Common Anode Schottky Barrier Diodes
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MMBF0201N N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
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參數(shù)描述
MMBD452 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE
MMBD452LT1 功能描述:肖特基二極管與整流器 30V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MMBD452LT1_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MMBD452LT1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 30V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MMBD452LT1G_09 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes