參數(shù)資料
型號： MLP1N06
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： VOLTAGE CLAMPED CURRENT LIMITING MOSFET
中文描述： 電壓被鉗位MOSFET的電流限幅
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 136K
代理商： MLP1N06
2
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TJ = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain–to–Source Sustaining Voltage (Internally Clamped)
(ID = 20 mA, VGS = 0)
(ID = 20 mA, VGS = 0, TJ = 150
°
C)
V(BR)DSS
59
59
62
62
65
65
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS = 45 V, VGS = 0)
(VDS = 45 V, VGS = 0, TJ = 150
°
C)
IDSS
—
—
0.6
6.0
5.0
20
μ
Adc
Gate–Body Leakage Current
(VG = 5.0 V, VDS = 0)
(VG = 5.0 V, VDS = 0, TJ = 150
°
C)
IGSS
—
—
0.5
1.0
5.0
20
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS*
Gate Threshold Voltage
(ID = 250
μ
A, VDS = VGS)
(ID = 250
μ
A, VDS = VGS, TJ = 150
°
C)
VGS(th)
1.0
0.6
1.5
—
2.0
1.6
Vdc
Static Drain–to–Source On–Resistance
(ID = 1.0 A, VGS = 4.0 V)
(ID = 1.0 A, VGS = 5.0 V)
(ID = 1.0 A, VGS = 4.0 V, TJ = 150
°
C)
(ID = 1.0 A, VGS = 5.0 V, TJ = 150
°
C)
RDS(on)
—
—
—
—
0.63
0.59
1.1
1.0
0.75
0.75
1.9
1.8
Ohms
Forward Transconductance (ID = 1.0 A, VDS = 10 V)
Static Source–to–Drain Diode Voltage (IS = 1.0 A, VGS = 0)
Static Drain Current Limit
(VGS = 5.0 V, VDS = 10 V)
(VGS = 5.0 V, VDS = 10 V, TJ = 150
°
C)
gFS
VSD
ID(lim)
1.0
1.4
—
mhos
—
1.1
1.5
Vdc
2.0
1.1
2.3
1.3
2.75
1.8
A
RESISTIVE SWITCHING CHARACTERISTICS*
Turn–On Delay Time
VGS = 5.0 V, RG = 50 Ohms)
td(on)
tr
td(off)
tf
—
1.2
2.0
μ
s
Rise Time
(VDD = 25 V, ID = 1.0 A,
—
4.0
6.0
Turn–Off Delay Time
—
4.0
6.0
Fall Time
—
3.0
5.0
* Indicates Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%.
Figure 1. Output Characteristics
2
4
6
8
4
1
0
3
2
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
10 V
6 V
8 V
4 V
VGS = 3 V
0
,
I
Figure 2. Transfer Function
–50
°
C
0
2
4
6
8
4
1
0
3
2
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
,
I
25
°
C
VDS
≥
7.5 V
TJ = 150
°
C
TJ = 25
°
C
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