參數(shù)資料
型號(hào)： MJW21195
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Power Transistors
中文描述： 16 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AD
封裝： CASE 340L-02, TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 91K
代理商： MJW21195
MJW21195 (PNP) MJW21196 (NPN)
http://onsemi.com
6
Figure 15. MJW21195 Typical Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 16. MJW21196 Typical Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C
AUDIO PRECISION
MODEL ONE PLUS
TOTAL HARMONIC
DISTORTION
ANALYZER
SOURCE
AMPLIFIER
50
0.5
0.5
8.0
-50 V
DUT
DUT
+50 V
Figure 17. Typical Total Harmonic Distortion
Figure 18. Total Harmonic Distortion Test Circuit
FREQUENCY (Hz)
TH
D
10000
1000
100
100
10
1.0
0.1
10000
1000
100
100
10
1.0
0.1
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
100000
10000
1000
100
10
TJ = 25
°
C
ftest = 1 MHz
Cob
Cib
TJ = 25
°
C
ftest = 1 MHz
Cob
Cib
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PDF描述
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MJW21196 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJW21196G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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