參數(shù)資料
型號： MJW21195
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Power Transistors
中文描述： 16 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AD
封裝： CASE 340L-02, TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 91K
代理商： MJW21195
MJW21195 (PNP) MJW21196 (NPN)
http://onsemi.com
3
Figure 3. DC Current Gain, VCE = 20 V
Figure 4. DC Current Gain, VCE = 20 V
Figure 5. DC Current Gain, VCE = 5 V
Figure 6. DC Current Gain, VCE = 5 V
hF
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
hF
hF
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Typical Output Characteristics
I
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Typical Output Characteristics
I
PNP MJW21195
NPN MJW21196
hF
TYPICAL CHARACTERISTICS
PNP MJW21195
PNP MJW21195
NPN MJW21196
NPN MJW21196
1000
100
10
100
10
1.0
0.1
1000
10
100
10
1.0
0.1
1000
100
10
100
10
1.0
0.1
1000
10
100
10
1.0
0.1
30
0
25
20
15
10
5.0
0
5.0
10
15
20
25
30
0
25
20
15
5.0
0
5.0
10
15
20
25
10
VCE = 20 V
TJ = 100
°
C
25
°
C
-25
°
C
VCE = 20 V
TJ = 100
°
C
25
°
C
-25
°
C
VCE = 5 V
TJ = 100
°
C
25
°
C
-25
°
C
VCE = 5 V
TJ = 100
°
C
25
°
C
-25
°
C
TJ = 25
°
C
IB = 0.5 A
1.0 A
1.5 A
2.0 A
TJ = 25
°
C
IB = 0.5 A
1.0 A
1.5 A
2.0 A
100
100
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MJW21196 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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