參數(shù)資料
型號(hào)： MJW18020
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar
中文描述： 30 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AD
封裝： CASE 340L-02, TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 55K
代理商： MJW18020
MJW18020
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. DC Current Gain, V
CE
= 2.0 V
0.01
0.1
1.0
10
1.0
10
100
100
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
0.1
1.0
10.0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
0.01
0.1
1.0
10
1.0
10
100
100
Figure 2. DC Current Gain, V
CE
= 5.0 V
0.1
1.0
10.0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
Figure 3. Typical Collector–Emitter Saturation
Voltage, I
C
/I
B
= 5.0
Figure 4. Typical Collector–Emitter Saturation
Voltage, I
C
/I
B
= 10
Figure 5. Typical Base–Emitter Saturation
Voltage, I
C
/I
B
= 5.0
Figure 6. Typical Base–Emitter Saturation
Voltage, I
C
/I
B
= 10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
H
F
,
H
F
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
V
C
,
V
C
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
,
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
I
c
/I
b
= 10
I
c
/I
b
= 5.0
V
CE
= 2.0 V
V
CE
= 5.0 V
T
J
= 25
°
C
I
c
/I
b
= 10
I
c
/I
b
= 5.0
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
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PDF描述
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MJW21194 Silicon Power Transistors
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MJW21191 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJW21191G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJW21192 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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