參數資料
型號： MJW18020
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar
中文描述： 30 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AD
封裝： CASE 340L-02, TO-247, 3 PIN
文件頁數： 2/8頁
文件大小： 55K
代理商： MJW18020
MJW18020
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 0)
V
CEO(sus)
450
–
–
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CEO
, I
B
= 0)
I
CEO
–
–
100
μ
Adc
Collector Cutoff Current (V
CE
= Rated V
CES
, V
EB
= 0)
(T
C
= 125
°
C)
I
CES
–
–
100
500
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(V
CE
= 9 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
–
–
100
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 3 Adc, V
CE
= 5 Vdc)
(T
C
= 125
°
C)
(I
C
= 10 Adc V
CE
= 2 Vdc)
(T
C
= 125
°
C)
(I
C
= 20 Adc V
CE
= 2 Vdc)
(T
C
= 125
°
C)
(I
C
= 10 mAdc V
CE
= 5 Vdc)
h
FE
14
–
8
5
5.5
4
14
30
16
14
9
7
25
34
–
–
–
–
–
Base–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 Adc, I
B
= 2 Adc)
(I
C
= 20 Adc, I
B
= 4 Adc)
V
BE(sat)
–
0.97
1.15
1.25
1.5
Vdc
Collector–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 Adc, I
B
= 2 Adc)
(T
C
= 125
°
C)
(I
C
= 20 Adc, I
B
= 4 Adc)
(T
C
= 125
°
C)
V
CE(sat)
–
–
–
–
0.2
0.3
0.5
0.9
0.6
–
1.5
2.0
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth Product
(I
C
= 1 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f
test
= 1 MHz)
f
T
–
13
–
MHz
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f
test
= 1
MHz)
C
ob
–
300
500
pF
Input Capacitance
(V
EB
= 8.0)
C
ib
–
7000
9000
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load
(D.C.
=
10%, Pulse
Width = 70
μ
s)
Turn–On Time
(I
C
= 10 Adc, I
B1
= I
B2
= 2 Adc,
Vcc = 125 V)
t
On
–
540
750
ns
Storage Time
t
s
t
f
t
Off
t
On
t
s
t
f
t
Off
–
4.75
6
μ
s
Fall Time
–
380
500
ns
Turn–Off Time
–
5.2
6.5
μ
s
Turn–On Time
(I
= 20 Adc, I
= I
= 4 Adc,
Vcc = 125 V)
–
965
1200
ns
Storage Time
C
B1
B2
,
–
2.9
3.5
μ
s
Fall Time
–
350
500
ns
Turn–Off Time
–
3.25
4
μ
s
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load
(V
clamp
= 300 V
, Vcc = 15 V, L = 200
μ
H)
Fall Time
(I
C
= 10 Adc, I
B1
= I
B2
= 2 Adc)
tfi
–
142
250
ns
Storage Time
tsi
–
4.75
6
μ
s
Crossover Time
tc
–
320
500
ns
Fall Time
(I
C
= 20 Adc, I
B1
= I
B2
= 4 Adc)
tfi
–
350
500
ns
Storage Time
tsi
–
3.0
3.5
μ
s
Crossover Time
tc
–
500
750
ns
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MJW21191 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJW21191G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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