參數(shù)資料
型號(hào)： MJH10012
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON
中文描述： 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
封裝： CASE 340D-02, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 191K
代理商： MJH10012
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH
REFERENCED TO–204AA OUTLINE SHALL APPLY.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
MIN
1.550 REF
–––
0.250
0.038
0.055
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.665 BSC
–––
0.151
1.187 BSC
0.131
MAX
MIN
39.37 REF
–––
6.35
0.97
1.40
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
16.89 BSC
–––
3.84
30.15 BSC
3.33
MAX
MILLIMETERS
INCHES
1.050
0.335
0.043
0.070
26.67
8.51
1.09
1.77
0.480
12.19
0.830
0.165
21.08
4.19
0.188
4.77
A
N
E
C
K
–T–
SEATING
2 PL
0.13 (0.005)
D
M
Q
M
Y
M
T
M
Y
M
0.13 (0.005)
T
–Q–
–Y–
2
1
U
L
G
B
V
H
CASE 1–07
TO–204AA (TO–3)
ISSUE Z
CASE 340D–01
SOT 93, TO–218 TYPE
ISSUE A
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
A
D
V
G
K
S
L
U
B
Q
E
C
J
H
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
MIN
19.00
14.00
4.20
1.00
1.45
5.21
2.60
0.40
28.50
14.70
4.00
17.50
3.40
1.50
MAX
19.60
14.50
4.70
1.30
1.65
5.72
3.00
0.60
32.00
15.30
4.25
18.10
3.80
2.00
MIN
0.749
0.551
0.165
0.040
0.058
0.206
0.103
0.016
1.123
0.579
0.158
0.689
0.134
0.060
MAX
0.771
0.570
0.185
0.051
0.064
0.225
0.118
0.023
1.259
0.602
0.167
0.712
0.149
0.078
INCHES
MILLIMETERS
1
2
3
4
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PDF描述
MJ10012 POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON
MJ10012 POWER TRANSISTORS(10A,400V,175W)
MJ10015 50 AMPERE NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 400 AND 500 VOLTS 250 WATTS
MJ10016 NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJ10015 NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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