參數(shù)資料
型號： MJH10012
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON
中文描述： 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
封裝： CASE 340D-02, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 191K
代理商： MJH10012
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
OFF CHARACTERISTICS (1)
(IC = 200 mAdc, RBE = 27 Ohms, Vclamp = Rated VCER)
Collector Cutoff Current (Rated VCER, RBE = 27 Ohms)
Collector Cutoff Current (Rated VCBO, IE = 0)
Emitter Cutoff Current (VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ICER
ICBO
IEBO
—
—
—
—
1.0
1.0
mAdc
mAdc
—
—
40
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
(IC = 10 Adc, VCE = 6.0 Vdc)
hFE
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 Adc, IB = 2.0 Adc)
VCE(sat)
100
20
—
350
150
—
2000
—
2.5
Vdc
Base Emitter Saturation Voltage
—
—
2.5
Vdc
Base–Forward Biased
Pulsed Energy Test (See Figure 12)
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300
μ
s, Duty Cycle = 2%.
—
—
mJ
180
Vclamp
VCEO(sus) = 400 Vdc
VCER(sus) = 425 Vdc
VCEO
25
μ
s
10 V
VCC
ADJUST UNTIL IC = 6 A
14 V
VCC = 20 Vdc
Figure 1. Sustaining Voltage
Test Circuit
Figure 2. Switching Times
Test Circuit
* Adjust t1 such that IC reaches 200 mA at VCE = Vclamp
0 V
*
t1
5 ms
220
100
1N4933
2N3713
L = 10 mH
VCER
27
Vclamp
2
Eo
T.U.T.
– 4 V
12 V
En
51
1N3947
225
μ
s
12 V
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ10012 POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON
MJ10012 POWER TRANSISTORS(10A,400V,175W)
MJ10015 50 AMPERE NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 400 AND 500 VOLTS 250 WATTS
MJ10016 NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJ10015 NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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