參數(shù)資料
型號(hào)： MJF6388
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 10 AMPERES 100 VOLTS 40 WATTS
中文描述： 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 338K
代理商： MJF6388
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.3
Figure 2. Switching Times Test Circuit
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
0.1
10
0.5
2
5
5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t
μ
1
0.2
0.1
0.07
7
Figure 3. Typical Switching Times
ts
0.3
3
0.2
1
0.7
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
0.1
0.7
10
0.5
0.3
2
5
5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t
μ
1
0.2
0.1
7
3
0.2
1
10
0.7
0.5
3
7
NPN
MJF6388
PNP
MJF6668
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Maximum Forward Bias
Safe Operating Area
1
20
0.3
0.2
30
CURRENT LIMIT
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
THERMAL LIMIT @ TC = 25
°
C
(SINGLE PULSE)
I
0.02
2
3
50
3
2
0.05
0.03
10
dc
TJ = 150
°
C
1 ms
5 ms
100
μ
s
5
0.1
5
100
20
2
10
0.5
1
≈
120
≈
8 k
V1
APPROX.
+12 V
V2
APPROX.
–8 V
25
μ
s
RB
51
D1
–4 V
VCC
+30 V
RC
SCOPE
TUT
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1%
FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED
AND V2 = 0
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES.
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.,
MUR110 USED ABOVE IB
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW IB
≈
100 mA
tf
tr
td
tr
ts
td
tf
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJF6668 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS
MJF6668 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 10 AMPERES 100 VOLTS 40 WATTS
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MKP3V120 Sidac High Voltage Bidirectional Triggers
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參數(shù)描述
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