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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE8503A |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 221A-06, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/60頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 342K |
| 代理商： | MJE8503A |
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2–3
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 1. Plastic (Isolated TO–220 Type)
Device Type
Resistive Switching
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
VCES
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD (Case)
Watts
@ 25
°C
1
250
MJF47
30/150
0.3
2 typ
0.17 typ
0.3
10
28
2
400
700
BUL44F
14/34
0.2
2.75(3)
0.2(3)
1
13 typ
25
1000
MJF18002
14/34
0.2
2.75(3)
0.175(3)
1
13 typ
25
3
100
MJF31C
MJF32C
10 min
1
0.6
0.3
1
3
28
5
100
MJF122 (2)
MJF127 (2)
2000 min
3
1.5 typ
3
4(1)
28
400
700
BUL45F
14/34
0.3
1.7(3)
0.15(3)
1
12 typ
35
450
1000
BUT11AF
10 min
.005
4
0.8
2.5
40
1000
MJF18004
14/34
0.3
1.7(3)
0.15(3)
1
13 typ
35
550
1200
MJF18204
18/35
0.5
2.75(3)
0.2(3)
2
12
35
6
400
700
BUL146F
14/34
0.5
2.5(3)
0.15(3)
3
14 typ
40
450
1000
MJF18006
14/34
0.5
3.2(3)
0.15(3)
3
14 typ
40
8
80
MJF6107
30/90
2
0.5 typ
0.13 typ
2
4
35
150
MJF15030
MJF15031
40 min
3
1 typ
0.15 typ
3
30
35
400
700
MJF13007
5/30
5
3
0.7
5
4
40
BUL147F
14/34
1
2.5(3)
0.18(3)
2
14 typ
45
450
1000
MJF18008
16/34
1
2.75(3)
0.18(3)
2
13 typ
45
10
60
MJF3055
MJF2955
20/100
4
—
2
40
80
MJF44H11
MJF45H11
40/100
4
0.5 typ
0.14 typ
5
40
35
100
MJF6388 (2)
MJF6668 (2)
3k/20k
3
1.5 typ
20(1)
40
450
1000
MJF18009
14/34
1.5
2.75(3)
0.2(3)
3
12
50
12
400
700
MJF13009
6/30
8
3
0.7
8
40
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1
3
2
CASE 221D
Isolated TO–220 Type
UL Recognized
File #E69369
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE8503ABU | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE8503ABV | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE8503ABD | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE8503ABS | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE8503ABG | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE9780 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT PNP 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| MJEC15033TR | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MJF122 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 5A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJF122G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 5A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJF127 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 5A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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