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參數(shù)資料
| 型號： | MJE8503A |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 221A-06, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 342K |
| 代理商： | MJE8503A |
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MJE8503A
3–652
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Figure 1. DC Current Gain
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
0.1
0.01
100
10
1
TJ = 25°C
VCE = 1 V
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMPS)
Figure 2. Forward Bias Safe Operating
Area (FBSOA)
VCE, COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)
1
10
100
1000
1
0.1
0.01
0.001
50
s
1 ms
50 ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE8503ABU | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE8503ABV | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE8503ABD | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| MJE8503ABG | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MJEC15033TR | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MJF122 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 5A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJF122G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 5A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJF127 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 5A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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