| 型號: | MJE5850C |
| 廠商: | MOTOROLA INC |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | 8 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商: | MJE5850C |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSU55 | 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MPSU02 | 0.8 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MPS6530-AMMO | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH34 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MZ0912B100YTRAY | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE5850G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5850G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJE5851 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 350V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5851G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 350V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5852 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |