參數(shù)資料
型號： MZ0912B100YTRAY
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大小： 119K
代理商： MZ0912B100YTRAY
DATA SHEET
Product specication
Supersedes data of June 1992
1997 Feb 20
DISCRETE SEMICONDUCTORS
MX0912B100Y; MZ0912B100Y
NPN microwave power transistors
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBF5484D87Z VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
MMBT5089D87Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA92TRL 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA92TRL13 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBF5462L99Z P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MZ0912B50Y 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor
MZ0912B50Y TRAY 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MZ0912B50Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MZ1.0GD100V-2.5 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE
MZ1.0GD10V-25 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*