參數(shù)資料
型號: MJE5731T
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 156K
代理商: MJE5731T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE573116 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MPSA28 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MUN5214 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA06-STYLE-B 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MG30G1BL4 30 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE5740 功能描述:達林頓晶體管 8A 300V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJE5740_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS
MJE5740G 功能描述:達林頓晶體管 8A 300V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJE5741 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJE5742 功能描述:達林頓晶體管 8A 400V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel