| 型號: | MJE5731T |
| 廠商: | MOTOROLA INC |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大小: | 156K |
| 代理商: | MJE5731T |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE573116 | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPSA28 | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MUN5214 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA06-STYLE-B | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MG30G1BL4 | 30 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE5740 | 功能描述:達林頓晶體管 8A 300V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJE5740_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS |
| MJE5740G | 功能描述:達林頓晶體管 8A 300V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJE5741 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| MJE5742 | 功能描述:達林頓晶體管 8A 400V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |