參數(shù)資料
型號(hào): MPSA06-STYLE-B
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 129K
代理商: MPSA06-STYLE-B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG30G1BL4 30 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MPSA13-STYLE-G 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MJE2360T16 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE2360TC 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MPSA55-STYLE-H 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSA06STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 80V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06T93 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRVR NPN 80V .5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06ZL1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MPSA09 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92 NPN50V .05A .310W EBC