| 型號: | MJE5730 |
| 廠商: | MOTOROLA INC |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | 1.0 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 300-350-400 VOLTS 40 WATTS |
| 中文描述: | 1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件頁數: | 1/6頁 |
| 文件大小: | 190K |
| 代理商: | MJE5730 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE800 | 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
| MJE802 | SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| MJE702 | NPN (HIGH DC CURRENT GAIN) |
| MJE703 | NPN (HIGH DC CURRENT GAIN) |
| MJE802 | DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJE5730_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors |
| MJE5730G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 300V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5731 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 350V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5731A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 375V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5731AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 375V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |