參數(shù)資料
型號： MJE2955TAS
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 45/59頁
文件大小： 357K
代理商： MJE2955TAS
2–5
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
4
40
MJE1123
45/100
4
5
75
60
MJE800 (2)
MJE700 (2)
750 min
1.5
1(1)
40
80
D44C12
D45C12
40/120
0.2
1
40 typ
30
400/700
MJE13005
6/30
3
0.7
3
4
60
5
100
TIP122 (2)
TIP127 (2)
1k min
3
1.5 typ
4
4(1)
75
250
2N6497
10/75
2.5
1.8
0.8
2.5
5
80
300
2N6498
10/75
2.5
1.8
0.8
2.5
5
80
400/700
BUL45
14/34
0.3
1.7(3)
0.15(3)
1
12 typ
75
450/1000
MJE16002
5 min
5
3
0.3
3
80
450/850
MJE16004
7 min
5
2.7
0.35
3
80
450/1000
MJE18004
14/34
0.3
1.7
0.15
1.0
13
75
550/1200
MJE18204
18/35
0.5
2.75(3)
0.2(3)
2
12
75
6
80
BD243B
BD244B
15 min
3
0.4 typ
0.15 typ
3
65
100
BD243C
BD244C
15 min
3
0.4 typ
0.15 typ
3
65
TIP41C
TIP42C
15/75
3
0.4 typ
0.15 typ
3
65
250/550
MJE16204
5 min
6
1.5(2)
0.15(2)
1
10
80
400/700
BUL146
14/34
0.5
1.75(3)
0.15(3)
3
14 typ
100
450/1000
MJE18006
14/34
0.5
3.2(3)
0.13(3)
3
14 typ
100
7
30
2N6288
2N6111
30/150
3
0.4 typ
0.15 typ
3
4
40
50
2N6109
30/150
2.5
0.4 typ
0.15 typ
3
4
40
70
2N6292
2N6107
30/150
2
0.4 typ
0.15 typ
3
4
40
100
BD801
BD802
15 min
3
65
150
BU407
30 min
1.5
0.75
5
10
60
200
BU406
30 min
1.5
0.75
5
10
60
450
BU522B (2)
250 min
2.5
7.5
75
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)VCEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE2955TBG 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2955TDW 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE3055TBU 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE3055TDW 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE3055TBA 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE2955TD127 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MJE2955TG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 125W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE2955TG-TN3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MJE2955TTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE2955TTU_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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