參數(shù)資料
型號: MJE1320U
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 156K
代理商: MJE1320U
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA06-STYLE-C 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MJE18004L 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MPSA14-STYLE-E 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MJE13004S 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MMBT5088/L99Z 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE15028 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 120V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE15028_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120−150 VOLTS, 50 WATTS
MJE15028G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 120V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE15029 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 120V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE15029 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -120V TO-220 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -120V, TO-220