| 型號(hào): | MPSA06-STYLE-C |
| 元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述: | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商: | MPSA06-STYLE-C |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18004L | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPSA14-STYLE-E | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE13004S | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MMBT5088/L99Z | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MJE13006S | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA06STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 80V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06T93 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRVR NPN 80V .5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06ZL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MPSA09 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92 NPN50V .05A .310W EBC |