參數(shù)資料
型號： MJD50T4
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封裝： TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： MJD50T4
MJD50
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPE
s
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
s
SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX "T4")
s
ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP50
APPLICATIONS
s
SWITCH MODE POWER SUPPLIES
s
AUDIO AMPLIFIERS
s
GENERAL PURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER
DESCRIPTION
The MJD50 is manufactured using Medium
Voltage Epitaxial Planar technology, resulting in a
rugged high performance cost-effective transistor.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
January 2000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage (IE = 0)
500
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)
400
V
VEBO
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector Current
1
A
ICM
Collector Peak Current (tp < 5 ms)
2
A
IB
Base Current
0.6
A
IBM
Base Peak Current (tp < 5 ms)
1.2
A
Ptot
Total Dissipation at Tc = 25
oC15
W
Tstg
Storage Temperature
-65 to 150
oC
Tj
Max. Operating Junction Temperature
150
oC
1
3
DPAK
TO-252
(Suffix "T4")
1/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MJD6036-1 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD5731 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage PNP Silicon Power Transistors
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