參數(shù)資料
型號: MJD49T4
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述: 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大小: 143K
代理商: MJD49T4
Switching Time Inductive Load
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Switching Time Inductive Load
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MJD49T4
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
MJD50 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
MJD50-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
MJD50G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2