參數(shù)資料
型號： MJD45H11G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 192K
代理商： MJD45H11G
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
VCE = 4 V
TJ = 125
°
C
25
°
C
–40
°
C
1000
0.1
Figure 4. MJD44H11 DC Current Gain
10
1
10
100
Figure 5. MJD45H11 DC Current Gain
Figure 6. MJD44H11 Current Gain
versus Temperature
Figure 7. MJD45H11 Current Gain
versus Temperature
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
0.1
Figure 8. MJD44H11 On–Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
S
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
TJ = 25
°
C
Figure 9. MJD45H11 On–Voltages
VCE = 1 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
S
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
h
1000
0.1
10
1
10
100
VCE = 1 V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
VCE = 4 V
1000
0.1
10
1
10
100
TJ = 25
°
C
1 V
TJ = 125
°
C
25
°
C
–40
°
C
h
1000
0.1
10
1
10
100
VCE = 1 V
VBE(sat)
VCE(sat)
VBE(sat)
VCE(sat)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD45H11RL SILICON POWER TRANSISTORS
MJD45H11T4 SILICON POWER TRANSISTORS
MJD45H11T4G SILICON POWER TRANSISTORS
MJD45H11-1 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD45H11T4 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
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參數(shù)描述
MJD45H11RL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11RLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11-T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
MJD45H11T4-A 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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