| 型號(hào): | MJD45H11 |
| 廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述: | Complementary Silicon PNP Transistors(互補(bǔ)硅PNP晶體管) |
| 中文描述: | 互補(bǔ)硅PNP晶體管(互補(bǔ)硅晶體管進(jìn)步黨) |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商: | MJD45H11 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD44H11 | Complementary Silicon PNP Transistors(互補(bǔ)硅PNP晶體管) |
| MJD50 | High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高壓快速開(kāi)關(guān)NPN功率晶體管) |
| MJE13005 | Silicon NPN Switching Transistor(硅NPN開(kāi)關(guān)晶體管) |
| MJE13007 | Silicon NPN Switching Transistor(硅NPN開(kāi)關(guān)晶體管) |
| MJE13009F | High Voltage Switch Mode Application |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD45H11_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| MJD45H11-001 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11-001G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors |
| MJD45H11-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
| MJD45H11-1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |