| 型號: | MJD50 |
| 廠商: | 意法半導體 |
| 英文描述: | High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高壓快速開關NPN功率晶體管) |
| 中文描述: | 高壓快速NPN電源開關晶體管(高壓快速開關npn型功率晶體管) |
| 文件頁數(shù): | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商: | MJD50 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE13005 | Silicon NPN Switching Transistor(硅NPN開關晶體管) |
| MJE13007 | Silicon NPN Switching Transistor(硅NPN開關晶體管) |
| MJE13009F | High Voltage Switch Mode Application |
| MJE13009 | Silicon NPN Switching Transistor(硅NPN開關晶體管) |
| MJE200 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD50_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| MJD50-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS |
| MJD50G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD50T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD50T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |