參數(shù)資料
型號： MJD45H11-1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
中文描述： 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 192K
代理商： MJD45H11-1
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 369A–13
ISSUE W
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
1
2
3
4
V
S
A
K
–T–
SEATING
R
B
F
G
D
3 PL
0.13 (0.005)
M
T
C
E
J
H
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
R
S
V
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.033
0.037
0.090 BSC
0.034
0.018
0.350
0.175
0.050
0.030
MAX
0.250
0.265
0.094
0.035
0.040
0.047
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.84
0.94
2.29 BSC
0.87
0.46
8.89
4.45
1.27
0.77
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
1.01
1.19
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.380
0.215
0.090
0.050
1.01
0.58
9.65
5.46
2.28
1.27
CASE 369–07
ISSUE K
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
0.13 (0.005)
M
T
E
C
U
J
H
–T–
SEATING
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
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MIN
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2.29 BSC
4.45
0.51
0.51
0.77
3.51
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
1.01
1.19
MILLIMETERS
INCHES
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1.27
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NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
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PDF描述
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MJD45H11G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11RL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11RLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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