參數(shù)資料
型號： MJD45H11-1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
中文描述： 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： MJD45H11-1
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus)
80
—
—
Vdc
(VEB = 5 Vdc)
ON CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
—
—
1
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
—
—
1.5
Vdc
(VCE = 1 Vdc, IC = 4 Adc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector Capacitance
Ccb
pF
SWITCHING TIMES
MJD44H11
MJD45H11
—
40
—
Delay and Rise Times
td + tr
—
300
—
ns
Fall Time
MJD44H11
MJD45H11
tf
—
—
500
140
—
—
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD45H11T4 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD45H11TM General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount Applications
MJD45H11 General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount Applications
MJD74C SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS20 WATTS
MJE13003 GT 6C 3#4 3#16 PIN RECP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD45H11-1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11RL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11RLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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