參數(shù)資料
型號: MJD44H11G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述: 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 80K
代理商: MJD44H11G
2
Motorola Bipolar Power Device Data
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector Cutoff Current
ICES
10
μ
A
Emitter Cutoff Current
(IC = 10 Adc, IB = 20 mAdc)
DC Current Gain
VCE(sat)
Vdc
2
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5 Adc, IB = 10 mAdc)
1000
2.5
hFE
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector Capacitance
Ccb
130
pF
(IC = 10 Adc, IB1 = 20 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 20 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 20 mAdc)
tf
0.5
10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3
5
10
20
100
5
I
2
1
0.2
0.1
0.5
50
2
30
1
Figure 1. Maximum Forward Bias
Safe Operating Area
Figure 2. Power Derating
TC
TA
SURFACE
MOUNT
TC = 25
°
C SINGLE PULSE
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
25
25
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TA
TC
0.3
3
100
μ
s
1 ms
5 ms
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PDF描述
MJD44H11RL SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11T4 SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11T4G SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11T5 SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11-1 Card Edge Connector; No. of Contacts:56; Pitch Spacing:0.156"; Contact Termination:Solder; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Hole Dia:0.128" RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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