參數(shù)資料
型號： MJD44H11G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： MJD44H11G
1
Motorola Bipolar Power Device Data
DPAK For Surface Mount Application
. . . for general purpose power and switching output or driver stages in applications
such as switching regulators, converters, and power amplifiers.
Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount (“T4” Suffix)
Electrically Similar to Popular D44E3 Device
High DC Gain — 1000 Min @ 5.0 Adc
Low Sat. Voltage — 1.5 V @ 5.0 Adc
Compatible With Existing Automatic Pick & Place Equipment
Derate above 25 C
1.75
0.16
W/ C
Watts
Total Power Dissipation (1)
@ TA = 25 C
PD
Watts
Temperature Range
6.25
C/W
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJD44E3/D
NPN DARLINGTON
SILICON
POWER TRANSISTOR
10 AMPERES
80 VOLTS
20 WATTS
*Motorola Preferred Device
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
0
6
0
1
0
3
0
1
0
4
0
4
inches
mm
CASE 369A–13
CASE 369–07
相關PDF資料
PDF描述
MJD44H11RL SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11T4 SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11T4G SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11T5 SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11-1 Card Edge Connector; No. of Contacts:56; Pitch Spacing:0.156"; Contact Termination:Solder; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Hole Dia:0.128" RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJD44H11RL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11RLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor
MJD44H11T4-A 功能描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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