參數(shù)資料
型號： MJD44
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： NPN DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
中文描述： NPN達林頓硅功率晶體管10安培80伏20瓦
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： MJD44
3
Motorola Bipolar Power Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 369–07
ISSUE K
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 2:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
STYLE 3:
PIN 1.
ANODE
CATHODE
ANODE
CATHODE
2.
3.
4.
STYLE 4:
PIN 1.
CATHODE
ANODE
GATE
ANODE
2.
3.
4.
STYLE 5:
PIN 1.
GATE
ANODE
CATHODE
ANODE
2.
3.
4.
1
2
3
4
V
S
A
K
–T–
SEATING
PLANE
R
B
F
G
D
3 PL
0.13 (0.005)
M
T
C
E
J
H
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
R
S
V
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.033
0.037
0.090 BSC
0.034
0.018
0.350
0.175
0.050
0.030
MAX
0.250
0.265
0.094
0.035
0.040
0.047
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.84
0.94
2.29 BSC
0.87
0.46
8.89
4.45
1.27
0.77
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
1.01
1.19
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.380
0.215
0.090
0.050
1.01
0.58
9.65
5.46
2.28
1.27
CASE 369A–13
ISSUE W
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
STYLE 2:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
STYLE 3:
PIN 1.
ANODE
CATHODE
ANODE
CATHODE
2.
3.
4.
STYLE 4:
PIN 1.
CATHODE
ANODE
GATE
ANODE
2.
3.
4.
STYLE 5:
PIN 1.
GATE
ANODE
CATHODE
ANODE
2.
3.
4.
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
0.13 (0.005)
M
T
E
C
U
J
H
–T–
SEATING
PLANE
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.033
0.037
0.180 BSC
0.034
0.018
0.102
0.090 BSC
0.175
0.020
0.020
0.030
0.138
MAX
0.250
0.265
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0.035
0.040
0.047
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.84
0.94
4.58 BSC
0.87
0.46
2.60
2.29 BSC
4.45
0.51
0.51
0.77
3.51
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
1.01
1.19
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.114
1.01
0.58
2.89
0.215
0.050
–––
0.050
–––
5.46
1.27
–––
1.27
–––
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
1
2
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