參數(shù)資料
型號: MJD32C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications
中文描述: 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大小: 205K
代理商: MJD32C
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
MJD31, MJD32
40
Vdc
(VCE = Rated VCEO, VEB = 0)
MJD31C, MJD32C
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
1
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
hFE
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1 MHz)
Small–Signal Current Gain
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 kHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
s, Duty Cycle
(2) fT =
hfe
ftest.
hfe
3
20
MHz
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD340 SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS
MJD350 SILICON POWER TRANSISTORS
MJD350T4 SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS
MJD340-1 SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS
MJD340T4 SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD32C1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C-13 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 3A PNP SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CQ-13 功能描述:TRANS PNP 100V 3A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:3MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1