- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371114 > MJD32C (MOTOROLA INC) SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MJD32C |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
| 中文描述： | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | MJD32C |
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
MJD31, MJD32
40
—
Vdc
(VCE = Rated VCEO, VEB = 0)
MJD31C, MJD32C
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
—
1
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
hFE
—
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1 MHz)
Small–Signal Current Gain
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 kHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
s, Duty Cycle
(2) fT =
hfe
ftest.
hfe
3
20
—
—
MHz
—
2%.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD31-1 | SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
| MJD31T4 | SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
| MJD32 | SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
| MJD32-1 | SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
| MJD32T4 | SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD32C1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C-13 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 3A PNP SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CQ-13 | 功能描述:TRANS PNP 100V 3A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 3A，4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:3MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。