參數(shù)資料
型號(hào)： MJD29C-1
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： MJD29C-1
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PDF描述
MJD29-1 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD29-T1 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD29C-T1 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD3055-I 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD3055-T1 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD29TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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