參數(shù)資料
型號： MJD3055-I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 44K
代理商： MJD3055-I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD305
5
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings T
C=25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics T
C=25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤300s, Duty Cycle≤2%
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
70
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
60
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5
V
IC
Collector Current
10
A
IB
Base Current
6
A
PC
Collector Dissipation (TC=25°C)
20
W
Collector Dissipation (Ta=25°C)
1.75
W
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
- 55 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
VCEO (sus)
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
IC = 30mA, IB = 0
60
V
ICEO
Collector Cut-off Current
VCE = 30V, IE = 0
50
A
ICBO
Collector Cut-off Current
VCB = 70V, IE = 0
2
mA
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = 5V, IC = 0
0.5
mA
hFE
*DC Current Gain
VCE = 4V, IC = 4A
VCE = 4V, IC = 10A
20
5
100
VCE(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 4A, IB = 0.4A
IC = 10A, IB = 3.3A
1.1
8
V
VBE(on)
* Base-Emitter ON Voltage
VCE = 4V, IC = 4A
1.8
V
fT
Current Gain Bandwidth Product
VCE = 10V, IC = 500mA
2
MHz
MJD3055
General Purpose Amplifier
Low Speed Switching Applications
D-PAK for Surface Mount Applications
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)
Straight Lead (I-PAK, “ -I “ Suffix)
Electrically Similar to Popular MJE3055T
DC Current Gain Specified to 10A
High Current Gain - Bandwidth Product:
fT = 2MHz (MIN), IC = 500mA
1.Base
2.Collector
3.Emitter
D-PAK
I-PAK
11
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PDF描述
MJD3055-T1 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD3055I 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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MJD30C-T1 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD30-1 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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