參數(shù)資料
型號(hào)： MJD253
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon Plastic Power Transistor(互補(bǔ)型功率晶體管)
中文描述： 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369A-13, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： MJD253
MJD243 (NPN), MJD253 (PNP)
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Peak
8.0
Base Current
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
°
C
I
B
D
1.0
Adc
A
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. When surface mounted on minimum pad sizes recommended.
JunctiontoAmbient (Note 2)
R
JA
89.3
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle
2%.
4. f
T
=
h
FE
f
test
.
100
CEO(sus)
(V
CB
= 100 Vdc, I
E
= 0)
180
(V
= 7.0 Vdc, I
= 0)
EBO
100
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
40
(I
= 500 mAdc, I
= 50 mAdc)
C
B
0.6
BaseEmitter Saturation Voltage (Note 3)
(I
= 500 mAdc, V
= 1.0 Vdc)
BE(on)
1.5
DYNAMIC CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product (Note 4)
C
CE
test
Output Capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD253T4 Complementary Silicon Plastic Power Transistor
MJD31 Complementary Power Transistors(補(bǔ)償型功率晶體管)
MJD31C Complementary Power Transistors(補(bǔ)償型功率晶體管)
MJD32 Complementary Power Transistors(互補(bǔ)型功率晶體管)
MJD340 High Voltage Power Transistors(高電壓功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD253-001 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD253-1 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications
MJD253-1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD253T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD253T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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