參數(shù)資料
型號： MJD148T4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Silicon Power Transistor
中文描述： 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 69K
代理商： MJD148T4
MJD148
http://onsemi.com
4
2
0.005
Figure 3. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
0
0.01 0.020.030.05
0.1
0.5
1
4
0.8
Figure 4. Temperature Coefficients
+2.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
1.6
1.2
V
0.4
0.20.3
10
3
0.4
Figure 5. Collector CutOff Region
V
BE
, BASEEMITTER VOLTAGE (V)
10
1
10
3
10
2
10
0
10
1
10
2
2
3
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2 V
0.005
0.01 0.020.030.05
0.1
0.5
1
4
0.20.3
2
3
+2
+1.5
+1
0
0.5
1
1.5
2
+0.5
2.5
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
h
FE
/2
*
T
J
= 65
°
C to +150
°
C
*
V
for V
CE(sat)
V
for V
BE
0.3 0.2 0.1
0
+0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5 +0.6
REVERSE
FORWARD
T
J
= 150
°
C
V
CE
= 30 V
100
°
C
25
°
C
I
CES
Figure 6. Thermal Response
t, TIME (ms)
1
0.01
0.01
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.05
1
2
5
10
20
50
100
200
1 k
500
Z
JC(t)
= r(t) R
qJC
R
qJC
= 6.25
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
Z
qJC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
D = 0.5
0.2
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.7
0.3
0.03
0.02
0.1
0.5
0.2
I
C
,
y
,
(
°
C
r
(
相關PDF資料
PDF描述
MJD49T4 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
MJE13002A GT 26C 26#16 SKT PLUG
MJE13005B GT 54C 54#16 SKT RECP
MJE13005F GT 25C 25#12 SKT RECP
MJE13007F TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR (SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE SWITCHING, HIGH SPEED DC-DC CONVERTER)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD18002D2T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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