參數(shù)資料
型號(hào)： MJD122-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)功率達(dá)林頓晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 284K
代理商： MJD122-1
6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Figure 13. Darlington Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8 k
≈
120
PNP
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8 k
≈
120
NPN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD122T4 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD122 Complementary Darlington Power Transistors
MJD122-1 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD122T4 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD122 Complementary Darlington Power Transistors
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參數(shù)描述
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MJD122G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON 100V 8A D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, DARLINGTON, 100V, 8A, D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, DARLINGTON, 100V, 8A, D-PAK, Transistor Polarity:NPN, Collector Emit
MJD122T4 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK
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