參數(shù)資料
型號(hào)： MJD122-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)功率達(dá)林頓晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 284K
代理商： MJD122-1
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
500
0.2
5000
2000
10,000
h
0.1
0.7
3000
0.5
1
20,000
1000
2
3
5
3
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.3
0.5
1
7
3
5
2
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
1.5
V
3
2.5
1
0.5
0.2
3
0.1
0.7
0.3
1
5
10
20
30
200
300
0.3
7
10
0.7
0.5
7
2
10
PNP MJD127
NPN MJD122
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
500
0.2
5000
2000
10,000
7000
h
VCE = 4 V
TJ = 150
°
C
0.1
0.7
25
°
C
–55
°
C
3000
0.5
1
20,000
700
1000
2
3
5
3
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.3
0.5
1
7
3
5
4 A
IC = 2 A
2
TJ = 25
°
C
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
1.5
V
3
2.5
1
0.5
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.2
3
0.1
0.7
0.3
1
5
10
20
30
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. “On” Voltages
200
300
0.3
7
10
0.7
0.5
7
2
10
6 A
VCE = 4 V
TJ = 150
°
C
25
°
C
–55
°
C
TJ = 25
°
C
4 A
IC = 2 A
6 A
TJ = 25
°
C
VBE @ VCE = 4 V
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD122T4 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD122 Complementary Darlington Power Transistors
MJD122-1 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD122T4 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD122 Complementary Darlington Power Transistors
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MJD122G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON 100V 8A D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, DARLINGTON, 100V, 8A, D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, DARLINGTON, 100V, 8A, D-PAK, Transistor Polarity:NPN, Collector Emit
MJD122T4 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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MJD122T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK
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