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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MGV125-09 |
| 元件分類： | 變?nèi)荻O管 |
| 英文描述： | KA BAND, 0.4 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 封裝： | CASE C01A, 1 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 612K |
| 代理商： | MGV125-09 |
Aeroex / Metelics, Inc.
www.aeroex-metelics.com
7
GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes
MGV Series,
Γ = 1.25±10%
Revision Date: 11/14/05
Packaged
Electrical Specifications, T
A = 25 °C
V
BR = 22 V min.
Model
I
R
CT
Tuning Ratio
Q
MIN
C
P
L
P
TYP
nH
Package
MAX
nA
MIN
pF
NOM
pF
MAX
pF
MIN
TYP
pF
MGV125-08-E28 / 28 X
100
0.32
0.38
0.44
2.5
3.9
6.5
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-08H20
100
0.41
0.48
0.56
0.7
2.4
4.1
4,000
0.18
0.5
H20
MGV125-08-P55
100
0.36
0.43
0.50
1.6
3.1
5.3
4,000
0.13
0.35
P55
MGV125-08-0805-2
100
0.30
0.36
0.42
2.9
4.1
7.0
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-09-E28 / 28 X
100
0.42
0.48
0.54
2.9
4.1
7.0
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-09-H20
100
0.51
0.58
0.66
1.6
3.0
5.1
4,000
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0.5
H20
MGV125-09-P55
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0.46
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3.6
6.0
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P55
MGV125-09-0805-2
100
0.40
0.46
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4.3
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0.4
0805-2
MGV125-20-E28 / 28 X
100
0.52
0.58
0.64
3.2
4.3
7.3
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-20-H20
100
0.61
0.68
0.76
2.2
3.4
5.8
4,000
0.18
0.5
H20
MGV125-20-P55
100
0.56
0.63
0.70
2.7
3.8
6.6
4,000
0.13
0.35
P55
MGV125-20-0805-2
100
0.50
0.56
0.62
3.4
4.5
7.7
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-21-E28 / 28 X
100
0.70
0.78
0.86
3.4
4.5
7.9
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-21-H20
100
0.79
0.88
0.98
2.7
3.8
6.7
4,000
0.18
0.5
H20
MGV125-21-P55
100
0.74
0.83
0.92
3.1
4.2
7.3
4,000
0.13
0.35
P55
MGV125-21-0805-2
100
0.68
0.76
0.84
3.6
4.6
8.1
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-22-E28 / 28 X
100
0.97
1.08
1.19
3.6
4.6
8.3
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-22-H20
100
1.06
1.18
1.31
3.1
4.2
7.5
3,000
0.18
0.5
H20
MGV125-22-P55
100
1.01
1.13
1.25
3.3
4.4
7.9
3,000
0.13
0.35
P55
MGV125-22-0805-2
100
0.95
1.06
1.17
3.7
4.7
8.5
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-23-E28 / 28 X
1.15
1.28
1.41
3.7
4.7
8.9
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-23-H20
100
1.24
1.38
1.53
3.2
4.3
8.2
3,000
0.18
0.5
H20
MGV125-23-P55
100
1.19
1.33
1.47
3.4
4.5
8.6
3,000
0.13
0.35
P55
MGV125-23-0805-2
100
1.13
1.26
1.39
3.7
4.8
9.1
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-24-E28 / 28 X
100
1.42
1.58
1.74
3.7
4.8
9.5
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-24-H20
100
1.51
1.68
1.86
3.4
4.5
8.9
3,000
0.18
0.5
H20
MGV125-24-P55
100
1.46
1.63
1.80
3.6
4.6
9.2
3,000
0.13
0.35
P55
MGV125-24-0805-2
100
1.40
1.56
1.72
3.8
4.8
9.6
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-25-E28 / 28 X
100
1.70
1.78
1.96
3.8
4.8
9.6
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-25-H20
100
1.79
1.88
2.08
3.5
4.5
9.0
3,000
0.18
0.5
H20
MGV125-25-P55
100
1.74
1.83
2.02
3.6
4.7
9.3
3,000
0.13
0.35
P55
MGV125-25-0805-2
100
1.68
1.76
1.94
3.8
4.8
9.7
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-26-E28 / 28 X
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1.87
2.08
2.29
3.8
4.8
9.6
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-26-H20
100
1.96
2.18
2.41
3.5
4.6
9.2
3,000
0.18
0.5
H20
MGV125-26-P55
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4.7
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0.13
0.35
P55
MGV125-26-0805-2
100
1.85
2.06
2.27
3.8
4.9
9.7
3,000
0.06
0.4
0805-2
Test Conditions
V
R =
18 V
V
R = 4 V
F = 1 MHz
V
R = 2 to 12
V
R =
2 to 20
V
R = 4 V
F = 50
MHz
F = 1 GHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSV34092-E28 | KU BAND, 9.88 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MSV40060-P55 | KU BAND, 0.53 pF, 60 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MMBD4448HT | 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MBR2080CT | 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MLL5926D | 11 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGV12N120D | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode |
| MGV-16.32 | 制造商:Mencom 功能描述: |
| MGV-16.32B | 制造商:Mencom 功能描述: |
| MGV-16.40 | 制造商:Mencom 功能描述: |
| MGV-24.40 | 制造商:Mencom 功能描述: |
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