參數(shù)資料
型號(hào)： MGV125-09
元件分類： 變?nèi)荻O管
英文描述： KA BAND, 0.4 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
封裝： CASE C01A, 1 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 612K
代理商： MGV125-09
Aeroex / Metelics, Inc.
www.aeroex-metelics.com
5
Revision Date: 11/14/05
GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes
MGV Series,
Γ = 1.00±10%
Packaged
Electrical Specifications, T
A = 25 °C
V
BR = 22 V min.
Model
I
R
CT
Tuning Ratio
Q
MIN
C
P
L
P
TYP
nH
Package
MAX
nA
MIN
pF
NOM
pF
MAX
pF
MIN
TYP
pF
MGV100-08-E28 / 28 X
100
0.37
0.43
0.49
1.9
2.7
4.0
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-08H20
100
0.46
0.53
0.61
0.8
1.9
2.8
4,000
0.18
0.5
H20
MGV100-08-P55
100
0.41
0.48
0.55
1.4
2.3
3.4
4,000
0.13
0.35
P55
MGV100-08-0805-2
100
0.35
0.41
0.47
2.1
2.9
4.3
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-09-E28 / 28 X
100
0.47
0.53
0.59
2.1
2.9
4.2
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-09-H20
100
0.56
0.63
0.71
1.3
2.2
3.2
4,000
0.18
0.5
H20
MGV100-09-P55
100
0.51
0.58
0.65
1.7
2.5
3.7
4,000
0.13
0.35
P55
MGV100-09-0805-2
100
0.45
0.51
0.57
2.2
3.0
4.4
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-20-E28 / 28 X
100
0.57
0.63
0.70
2.2
3.0
4.3
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-20-H20
100
0.66
0.73
0.82
1.6
2.4
3.5
4,000
0.18
0.5
H20
MGV100-20-P55
100
0.61
0.68
0.76
1.9
2.7
3.9
4,000
0.13
0.35
P55
MGV100-20-0805-2
100
0.55
0.61
0.68
2.3
3.1
4.5
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-21-E28 / 28 X
100
0.65
0.73
0.81
2.3
3.0
4.4
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-21-H20
100
0.74
0.83
0.93
1.7
2.6
3.8
4,000
0.18
0.5
H20
MGV100-21-P55
100
0.69
0.78
0.87
2.0
2.8
4.1
4,000
0.13
0.35
P55
MGV100-21-0805-2
100
0.63
0.71
0.79
2.4
3.1
4.6
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-22-E28 / 28 X
100
0.79
0.88
0.97
2.4
3.1
4.5
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-22-H20
100
0.88
0.98
1.09
1.9
2.7
4.0
3,000
0.18
0.5
H20
MGV100-22-P55
100
0.83
0.93
1.03
2.1
2.9
4.3
3,000
0.13
0.35
P55
MGV100-22-0805-2
100
0.77
0.86
0.95
2.4
3.2
4.7
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-23-E28 / 28 X
100
0.97
1.08
1.19
2.4
3.2
4.6
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-23-H20
100
1.06
1.18
1.31
2.1
2.8
4.2
3,000
0.18
0.5
H20
MGV100-23-P55
100
1.01
1.13
1.25
2.3
3.0
4.4
3,000
0.13
0.35
P55
MGV100-23-0805-2
100
0.95
1.06
1.17
2.5
3.2
4.7
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-24-E28 / 28 X
100
1.15
1.28
1.41
2.5
3.2
4.7
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-24-H20
100
1.24
1.38
1.53
2.2
2.9
4.3
3,000
0.18
0.5
H20
MGV100-24-P55
100
1.19
1.33
1.47
2.3
3.1
4.5
3,000
0.13
0.35
P55
MGV100-24-0805-2
100
1.13
1.26
1.39
2.5
3.2
4.8
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-25-E28 / 28 X
100
1.42
1.58
1.74
2.5
3.2
4.8
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-25-H20
100
1.51
1.68
1.86
2.3
3.0
4.5
3,000
0.18
0.5
H20
MGV100-25-P55
100
1.46
1.63
1.80
2.4
3.1
4.6
3,000
0.13
0.35
P55
MGV100-25-0805-2
100
1.40
1.56
1.72
2.6
3.3
4.8
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-26-E28 / 28 X
100
1.70
1.78
1.96
2.5
3.3
4.8
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-26-H20
100
1.79
1.88
2.08
2.4
3.1
4.5
3,000
0.18
0.5
H20
MGV100-26-P55
100
1.74
1.83
2.02
2.5
3.2
4.7
3,000
0.13
0.35
P55
MGV100-26-0805-2
100
1.68
1.76
1.94
2.6
3.3
4.8
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-27-E28 / 28 X
100
1.87
2.08
2.29
2.6
3.3
4.8
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-27-H20
100
1.96
2.18
2.41
2.4
3.1
4.6
3,000
0.18
0.5
H20
MGV100-27-P55
100
1.91
2.13
2.35
2.5
3.2
4.7
3,000
0.13
0.35
P55
MGV100-27-0805-2
100
1.85
2.06
2.27
2.6
3.3
4.9
3,000
0.06
0.4
0805-2
Test Conditions
V
R =
18 V
V
R = 4 V
F = 1 MHz
V
R = 2 to 12
V
R =
2 to 20
V
R = 4 V
F = 50
MHz
F = 1 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MSV34092-E28 KU BAND, 9.88 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MSV40060-P55 KU BAND, 0.53 pF, 60 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MMBD4448HT 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR2080CT 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MLL5926D 11 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGV12N120D 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
MGV-16.32 制造商:Mencom 功能描述:
MGV-16.32B 制造商:Mencom 功能描述:
MGV-16.40 制造商:Mencom 功能描述:
MGV-24.40 制造商:Mencom 功能描述:
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