參數(shù)資料
型號(hào): MGV075-12-H20
元件分類(lèi): 變?nèi)荻O管
英文描述: KA BAND, 0.98 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
封裝: HERMETIC SEALED PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 612K
代理商: MGV075-12-H20
Aeroex / Metelics, Inc.
www.aeroex-metelics.com
7
GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes
MGV Series,
Γ = 1.25±10%
Revision Date: 11/14/05
Packaged
Electrical Specifications, T
A = 25 °C
V
BR = 22 V min.
Model
I
R
CT
Tuning Ratio
Q
MIN
C
P
L
P
TYP
nH
Package
MAX
nA
MIN
pF
NOM
pF
MAX
pF
MIN
TYP
pF
MGV125-08-E28 / 28 X
100
0.32
0.38
0.44
2.5
3.9
6.5
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-08H20
100
0.41
0.48
0.56
0.7
2.4
4.1
4,000
0.18
0.5
H20
MGV125-08-P55
100
0.36
0.43
0.50
1.6
3.1
5.3
4,000
0.13
0.35
P55
MGV125-08-0805-2
100
0.30
0.36
0.42
2.9
4.1
7.0
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-09-E28 / 28 X
100
0.42
0.48
0.54
2.9
4.1
7.0
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-09-H20
100
0.51
0.58
0.66
1.6
3.0
5.1
4,000
0.18
0.5
H20
MGV125-09-P55
100
0.46
0.53
0.60
2.3
3.6
6.0
4,000
0.13
0.35
P55
MGV125-09-0805-2
100
0.40
0.46
0.52
3.2
4.3
7.4
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-20-E28 / 28 X
100
0.52
0.58
0.64
3.2
4.3
7.3
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-20-H20
100
0.61
0.68
0.76
2.2
3.4
5.8
4,000
0.18
0.5
H20
MGV125-20-P55
100
0.56
0.63
0.70
2.7
3.8
6.6
4,000
0.13
0.35
P55
MGV125-20-0805-2
100
0.50
0.56
0.62
3.4
4.5
7.7
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-21-E28 / 28 X
100
0.70
0.78
0.86
3.4
4.5
7.9
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-21-H20
100
0.79
0.88
0.98
2.7
3.8
6.7
4,000
0.18
0.5
H20
MGV125-21-P55
100
0.74
0.83
0.92
3.1
4.2
7.3
4,000
0.13
0.35
P55
MGV125-21-0805-2
100
0.68
0.76
0.84
3.6
4.6
8.1
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-22-E28 / 28 X
100
0.97
1.08
1.19
3.6
4.6
8.3
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-22-H20
100
1.06
1.18
1.31
3.1
4.2
7.5
3,000
0.18
0.5
H20
MGV125-22-P55
100
1.01
1.13
1.25
3.3
4.4
7.9
3,000
0.13
0.35
P55
MGV125-22-0805-2
100
0.95
1.06
1.17
3.7
4.7
8.5
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-23-E28 / 28 X
100
1.15
1.28
1.41
3.7
4.7
8.9
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-23-H20
100
1.24
1.38
1.53
3.2
4.3
8.2
3,000
0.18
0.5
H20
MGV125-23-P55
100
1.19
1.33
1.47
3.4
4.5
8.6
3,000
0.13
0.35
P55
MGV125-23-0805-2
100
1.13
1.26
1.39
3.7
4.8
9.1
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-24-E28 / 28 X
100
1.42
1.58
1.74
3.7
4.8
9.5
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-24-H20
100
1.51
1.68
1.86
3.4
4.5
8.9
3,000
0.18
0.5
H20
MGV125-24-P55
100
1.46
1.63
1.80
3.6
4.6
9.2
3,000
0.13
0.35
P55
MGV125-24-0805-2
100
1.40
1.56
1.72
3.8
4.8
9.6
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-25-E28 / 28 X
100
1.70
1.78
1.96
3.8
4.8
9.6
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-25-H20
100
1.79
1.88
2.08
3.5
4.5
9.0
3,000
0.18
0.5
H20
MGV125-25-P55
100
1.74
1.83
2.02
3.6
4.7
9.3
3,000
0.13
0.35
P55
MGV125-25-0805-2
100
1.68
1.76
1.94
3.8
4.8
9.7
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV125-26-E28 / 28 X
100
1.87
2.08
2.29
3.8
4.8
9.6
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV125-26-H20
100
1.96
2.18
2.41
3.5
4.6
9.2
3,000
0.18
0.5
H20
MGV125-26-P55
100
1.91
2.13
2.35
3.7
4.7
9.4
3,000
0.13
0.35
P55
MGV125-26-0805-2
100
1.85
2.06
2.27
3.8
4.9
9.7
3,000
0.06
0.4
0805-2
Test Conditions
V
R =
18 V
V
R = 4 V
F = 1 MHz
V
R = 2 to 12
V
R =
2 to 20
V
R = 4 V
F = 50
MHz
F = 1 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGV100-27-0805-2 KA BAND, 2.06 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MGV125-22-0805-2 KA BAND, 1.06 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MGV125-24-H20 KA BAND, 1.68 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MSV38082 KU BAND, 3.8 pF, 45 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MAZD05100L 5.1 V, 0.12 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGV-10.25B 制造商:Mencom 功能描述:
MGV1004100M-10 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 36.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:6.8A 電流 - 飽和值:12A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):36.5 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長(zhǎng) x 0.394" 寬(11.00mm x 10.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.169"(4.30mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MGV10041R0M-10 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 17.5A 4.1 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:17.5A 電流 - 飽和值:36A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):4.1 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長(zhǎng) x 0.394" 寬(11.00mm x 10.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.169"(4.30mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MGV10041R5M-10 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 15A 5.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:15A 電流 - 飽和值:27.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):5.8 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長(zhǎng) x 0.394" 寬(11.00mm x 10.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.169"(4.30mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
MGV10042R2M-10 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 12A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線(xiàn) 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:12A 電流 - 飽和值:25.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):9 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長(zhǎng) x 0.394" 寬(11.00mm x 10.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.169"(4.30mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1